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- Número de peza:
- BSO051N03MS G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO051N03MS G electronic components. BSO051N03MS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO051N03MS G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO051N03MS G Atributos do produto
Número de peza :
BSO051N03MS G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4300pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.56W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-DSO-8
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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