VS-GB100TH120N Prezos (USD) [261unidades de stock]
- 1 pcs$177.68022
- 12 pcs$163.71967
- Número de peza:
- VS-GB100TH120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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VS-GB100TH120N Atributos do produto
Número de peza :
VS-GB100TH120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
200A
Potencia: máx :
833W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
8.58nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivos de provedores :
Double INT-A-PAK
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- PS2GFANSET30599NOSA1
- QID1215003
- FS600R07A2E3B32BOSA1
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- FP15R06YE3B4BOMA1
- F3L75R12W1H3B27BOMA1
- VS-CPV362M4FPBF
- FS35R12W1T4B11BOMA1
- FF75R12YT3BOMA1
- DDB6U75N16W1RB11BOMA1
- FB20R06W1E3B11HOMA1
- FD800R17KF6CB2NOSA1