Vishay Siliconix - SI7194DP-T1-GE3

KEY Part #: K6407830

SI7194DP-T1-GE3 Prezos (USD) [837unidades de stock]

  • 3,000 pcs$0.58983

Número de peza:
SI7194DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI7194DP-T1-GE3 electronic components. SI7194DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7194DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7194DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI7194DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 6590pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

Tamén pode estar interesado