Número de peza :
RJK2006DPE-00#J3
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 20A, 10V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1800pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-LDPAK
Paquete / Estuche :
SC-83