Infineon Technologies - BSD316SNL6327XT

KEY Part #: K6404206

BSD316SNL6327XT Prezos (USD) [2091unidades de stock]

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Número de peza:
BSD316SNL6327XT
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD316SNL6327XT Atributos do produto

Número de peza : BSD316SNL6327XT
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 3.7µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 0.6nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 94pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-SOT363-6
Paquete / Estuche : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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