Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Diodos - Rectificadores - Solteiros
  5. JAN1N5802US

Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Prezos (USD) [7195unidades de stock]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Número de peza:
JAN1N5802US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Atributos do produto

Número de peza : JAN1N5802US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 50V
Actual - Media rectificada (Io) : 2.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 975mV @ 2.5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores : D-5A
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Últimas novas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Tamén pode estar interesado
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT5200-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A 120V Schottky TrenchMOS

Pezas quentes