Infineon Technologies - IRF40B207

KEY Part #: K6403066

IRF40B207 Prezos (USD) [75420unidades de stock]

  • 1 pcs$0.49754
  • 10 pcs$0.43984
  • 100 pcs$0.32870
  • 500 pcs$0.25492
  • 1,000 pcs$0.20125

Número de peza:
IRF40B207
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRF40B207 electronic components. IRF40B207 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF40B207, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF40B207 Atributos do produto

Número de peza : IRF40B207
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 95A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2110pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3