APTCV50H60T3G Prezos (USD) [1865unidades de stock]
- 1 pcs$23.21944
- 100 pcs$22.61126
- Número de peza:
- APTCV50H60T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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APTCV50H60T3G Atributos do produto
Número de peza :
APTCV50H60T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
NPT, Trench Field Stop
Configuración :
Full Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
80A
Potencia: máx :
176W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP3
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3
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