IPD80R4K5P7ATMA1 Prezos (USD) [277798unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD80R4K5P7ATMA1 electronic components. IPD80R4K5P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R4K5P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD80R4K5P7ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD80R4K5P7ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
80pF @ 500V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
13W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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