Toshiba Semiconductor and Storage - TK15A60U(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6408156

TK15A60U(STA4,Q,M) Prezos (USD) [725unidades de stock]

  • 1 pcs$1.67025

Número de peza:
TK15A60U(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M) electronic components. TK15A60U(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK15A60U(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK15A60U(STA4,Q,M) Atributos do produto

Número de peza : TK15A60U(STA4,Q,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
Serie : DTMOSII
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 15A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 950pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220SIS
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

Tamén pode estar interesado