Vishay Siliconix - IRFR9014TRPBF

KEY Part #: K6402063

IRFR9014TRPBF Prezos (USD) [240792unidades de stock]

  • 1 pcs$0.15361
  • 2,000 pcs$0.14320

Número de peza:
IRFR9014TRPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR9014TRPBF electronic components. IRFR9014TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9014TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9014TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRFR9014TRPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.1A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 270pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Tamén pode estar interesado
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.