Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J214FE(TE85L,F

KEY Part #: K6407560

SSM6J214FE(TE85L,F Prezos (USD) [885618unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04176

Número de peza:
SSM6J214FE(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J214FE(TE85L,F Atributos do produto

Número de peza : SSM6J214FE(TE85L,F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Serie : U-MOSVI
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 560pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : ES6
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666

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