SIHP6N80E-GE3 Prezos (USD) [34895unidades de stock]
- 1 pcs$1.18108
- Número de peza:
- SIHP6N80E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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SIHP6N80E-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHP6N80E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
Serie :
E
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
940 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
827pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
78W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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