Infineon Technologies - IRFL014NTRPBF

KEY Part #: K6415768

IRFL014NTRPBF Prezos (USD) [305674unidades de stock]

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Número de peza:
IRFL014NTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL014NTRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRFL014NTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 190pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-223
Paquete / Estuche : TO-261-4, TO-261AA

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